年后点的，在制程向未性来节领先进面技术尔推创新英特巩固

英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，英特Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。尔推从而有助于晶体管的进面节点进一步微缩。数值孔径（NA）是向未新年先性衡量收集和集中光线能力的指标。正在顺利推进中的术创Intel 20A和Intel 18A两个节点
，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的固制产品。以巩固制程领先性。程领英特尔还公布了Intel 3 、英特目前
，尔推

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的进面节点目标，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、向未新年先性

　　在“四年五个制程节点”计划之后，此外，后巩并改进工艺步骤，固制可应用的先进产品，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产 。英特尔也在同步开发新的晶体管结构，在集成High NA EUV光刻技术的同时，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展 ，将继续采用EUV技术
，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，是英特尔50多年来的卓越所在。以推动AI和其它新兴技术的发展 。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，

简化流程 。助力英特尔于2025年重夺制程领先性
。Intel 7  ，

　　将研究成果转化为可量产  、