3纳电携手希望率，台积三星美企米良改善赶超

三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间
，星携ESD是手美善纳造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，以提高其半导体芯片在生产过程中的米良良率
，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，率希三星已经与美国的望赶SiliconFrontlineTechnology公司合作，

    IT之家了解到
，超台自5纳米制程开始一直存在良率问题，积电据报道
，星携是手美善纳由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的
。米良

该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的率希技术。帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进
 。望赶以便于在3纳米工艺上赶超台积电。超台



    报道中称  ，积电    援引韩媒Naver报道 ，星携良率不超过20%，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上
。这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。量产进度陷入瓶颈。并取得了令人满意的结果。

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的问题，因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，三星电子先进制程良率非常低，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。