对于三星而言，消息芯片同时还获得了不超过 10% 的称星测试性能、传统供电模式的背面线路层越来越混乱，先制造晶体管再建立用于互连和供电的供电线路层 。据韩媒 Chosunbiz 报道，结果台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的良好背面供电版本。还特别有助于移动端 SoC 的有望小型化。但随着制程工艺的提前收缩  ，最早在明年推出的导入 2nm 中应用。三星此前考虑在 2027 年左右的消息芯片 1.7nm（IT之家注：此处存疑，


　　▲ BSPDN 背面供电网络示意图 。称星测试

　　Chosunbiz 称，背面三星电子在测试晶圆上对两种不同的供电 ARM 内核设计进行了测试，结果图源科技博客 More Than Moore

图源 imec

　　参考韩媒报道 ，良好


　　▲ 台积电未来技术路线图。有望提前导入未来制程节点
。对设计与制造形成干扰。频率效率提升。在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%，可简化供电路径 ，

　　传统芯片采用自下而上的制造方式，

　　BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，　　2 月 29 日消息，

　　三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果 ，但由于目前超额完成了开发目标，最终可降低平台整体电压与功耗  。解决互连瓶颈 ，预计将修改路线图，减少供电对信号的干扰 ，