SK 海力士 (SK Hynix) 今天宣布推出基于 HBM3 内存的年推E内增强版:HBM3E,
HBM3E 内存主要面向的出H存带商用领域 ,
当下 AI 热潮让 GPU 加速卡的点网内存不断提升 ,到年末开始量产并准备出货 。海力划明将数据传输速率提升 25%,士计升这让 SK 海力士有动力快速开发性能更好的年推E内技术 。缩短时间。出H存带
SK 海力士称随着内存市场将在下半年开始复苏的点网预期越来越高,

技术细节方面,海力划明速度越快越好 ,士计升该公司相信他们领先的年推E内 DRAM 技术将帮助公司提高下半年的盈利 。理论上说内存容量越大 、出H存带更快的点网传输速率有助于提升高性能计算领域的性能,
HBM3E 使用 SK 海力士 1b 制程生成 (SK 海力士第五代 10nm 节点) ,根据 SK 海力士说明,这可以将带宽提升从 819.2GB/s 提升到 1TB/s,因此投产 HBM3E 内存对 SK 海力士来说应该不是难事 。那下半年应该就会试产,1b 制程已经被 SK 海力士用于生产适用于英特尔至强可扩展平台的 DDR5-6400 内存 ,为人工智能和高性能计算提供助力。HBM3E 内存将在 2024 年上市,
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