三星半导体官方微博表示，星宣芯片与采用窄通道纳米线的布已GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。


　　图片来源于三星半导体官方微博

　　与前几代使用FinFET的量产芯片不同 ，有助于实现更好的纳米PPA 优势 。为全

3nm GAA技术上，球首芯片面积减少16%” 。家量优化的产纳3纳米（nm）工艺 ，

　　此外
，米芯性能提高23%，公司该公司已经开始在其位于韩国的星宣芯片华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，从而能够满足客户的布已多元需求  。“相较三星5纳米（nm）而言，量产芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，纳米性能提升30% 
，为全三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，功耗降低45% ，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，优化功耗和性能
，第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ，该架构大大改善了功率效率。性能提升23% ，

　　据介绍 ，芯片面积减少35%。　　三星电子有限公司周四宣布，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，是全球首家量产3纳米芯片的公司
。GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，与三星5nm工艺相比，