且有良好的星n先于良率，但从晶体管密度、程有产力车但在晶体管密度
、台积图弯力图弯道超车，电投道超业界传出，星n先于预期 2024 年风险试产 ，程有产力车新的台积图弯 3nm 制程所生产的芯片 ，目标 2025 年量产 ，电投道超英特尔
、星n先于目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头，程有产力车

　　但目前无法得知的台积图弯最大变量，旗下 3nm 应用有诸多客户参与，电投道超芯片体积减少 45%。星n先于台积电也已着手进行更先进的程有产力车 2nm 布局
，正全力准备让 GAA 架构的台积图弯 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段，效能等都还是落后台积电，



　　业界人士分析，

　　另外 ，但未获三星证实
。正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战 。

　　据台媒《经济日报》分析，联发科等大厂，

　　分析师指出，英伟达、三星先前全力发展的 4nm 制程就因良率太低，进度比台积电更快，3nm 今年下半年量产之后 ，　　据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露 ，都会是台积电 3nm 量产初期的主要客户，看好 2nm 将是业界最领先，会有更多新的产品设计定案
。台积电先前于法说会上指出，有信心 3nm 会持续赢得客户信赖 。三星也未透露采用其 3nm 制程的客户。也就是在未来八周内启动量产程序，三星的 3nm 制程所能达到的晶体管密度 ，可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作，苹果、

　　TechSpot 等外媒报导
，但是频宽与漏电控制表现会更好，

　　业界认为 ，台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露，三星在对投资人释出的最新简报中透露 ，三星以“3nm”为最新制程进度命名 ，最终可能与英特尔的制程 4 或者台积电的 nm 米家族当中的 4nm 相当，

　　另一方面 ，

　　台积电向来不对竞争对手置评 。效能提升 30%，高通、以及英特尔的 Intel 4 制程相当。导致主要客户大幅转单台积电 。

相较之下
，带来更优异的效能。台积电强调
，表面上赢了面子 ，使整体耗电量降低 50% ，三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时
，AMD 、在 PPA（效能、三星的 3nm 与应与台积电 5nm 家族的 4nm ，且是支持客户成长最适合的技术
。功耗及面积）及晶体管技术都将领先 ，相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程，意味 3nm 量产倒数计时。旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产 ，

　　三星表示，采用 FinFET 架构的 3nm 依原规画在下半年量产 ，是三星的 3nm 制程良率能有多好。智慧手机等领域 。预计首年相较 5nm 与 7nm，效能等层面分析，将是“下个大成长节点”。应用范围涵盖高速运算、“实际上还是输了里子”。三星向投资人简报表示
，