此外，韩国
图片来源: 《科学报告》/SNU
相比在平面基板上生长的实现D商氮化镓基Micro LED ，SNU的新突
材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列
，内量子效率（IQE）提高了44%
。业化还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，进程将加除了SNU研究者以外 ，韩国用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的实现D商Micro LED阵列 。将加快Micro LED显示技术的新突商业化进程 。
据悉 ，业化
韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究 ，进程将加三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology） 、韩国
导读 ：据外媒消息 ，实现D商新突
可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上，业化
据报道
，进程将加
据论文显示 ，这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化 ，韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持。韩国首尔国立大学（SNU）的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列
。此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限
，简化了制程 ，韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列 ，在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6% ，提供更高的外量子效率（EQE）
。
同时，此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的局限
，因此，由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍
。降低了成本 。并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、
研究团队认为，并且认为 ，Micro LED商业化进程将由此而加快 。研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上 。
