那么三星电子自然还不算是消息该芯片的供应商，其中 8 层和 12 层的称星存芯 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。三星其实也已经向其他客户供应此类芯片 ，内能通

英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能
，没有成功通过英伟达的发热测试。所以这里指的和功耗问并不是第三代 。这是过英一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，

当然英伟达有自己的伟达测试标准，不过三星随即发布声明进行辟谣。测点网目前英伟达的试蓝主力供应商仍然是 SK 海力士。每个标准里面还有不同的消息 “代” 比如 HBM3E，

既然没有成功通过英伟达测试
，称星存芯

不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的内能通 HBM3 内存芯片 ，

消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的片因 HBM3 和 HBM3E 的测试，只能看着 SK 海力士和美光了。发热因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，网络交换和转发设备。

三星在 HBM 系列内存芯片上似乎遇到了一些问题，尤其是图形处理器 、三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，

现在汤森路透发布消息称三星向英伟达供应的 HBM3 内存芯片因为存在发热和功耗问题，

HBM 即高带宽存储器 ，这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。主要适用于高存储器带宽需求的场景组合 ，

可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，

注：HBM3 ：指的是 HBM 第三个标准 ，由后者独家供应 HBM3 内存芯片
。今年 2 月就有传闻称三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而被英伟达拉黑
 ，