三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的星电 3 纳米芯片 ，
三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的目标生产能力，
三星电子代工业务部总裁 Choi Si-young 称 ：“我们正在韩国和美国经营五家工厂 ，到年
该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示
，将芯三星于 10 月 3 日（当地时间）在旧金山首次披露这一技术路线图
。片代即首先建造一个无尘室，工厂这家芯片制造商正在推行“外壳优先”战略，提高其目标是倍上到 2027 年将其生产能力提高三倍以上 。为此 ，星电三星电子计划在 2023 年推出第二代 3 纳米工艺，目标
然后在市场需求出现时灵活地运营该设施 。到年”
IT之家了解到 ，将芯 据 BusinessKorea 报道 ，片代面积减少了 16%
。工厂性能提高了 23%
，提高3 纳米芯片的功耗降低了 45% ，在 2027 年推出 1.4 纳米工艺，三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛
。在 2025 年开始量产 2 纳米 ，与 5 纳米芯片相比 ，
我们已经获得了建造 10 多座工厂的场地
。
