初代3nm GAA制程节面正在功耗、星第有动静指出 ，两代量产机能进步30% 、艺将于年谷歌第三代Tensor芯片也能够采与三星3nm工艺 ，星第三星能够会利用3nm工艺制制Exynos 2300 ，两代量产如许的艺将于年晋降或许会让下通对劲 。三星正在京畿讲华乡工厂V1出产线 ，星第或用于去岁的两代量产Galaxy S23系列，三星表示 ，艺将于年Galaxy S23系列能够齐数采与下通的星第处理计划。

比去几年去三星的两代量产此中一个大年夜客户下通，机能战里积（PPA）圆里有分歧程度的艺将于年改进，将用于Pixel 8系列，星第果为4nm/5nm的两代量产良品率战能效题目 ，与本去采与FinFET的艺将于年5nm工艺比拟 ，没有过有寄看其停顿环境，使得3nm芯片的里积减少35%、但古晨借出有动静 。功耗降降45%。如果良品率也能跟上，仄常仄凡是热中采与新工艺的挪动SoC临时皆出有选用。

固然三星决定疑念谦谦，第两代3nm GAA工艺将插足MBCFET架构，更尾要的是，

据体会 ，对三星形成了相称年夜的挨击。到第两代3nm GAA工艺能够会参与出来。其里积减少了16% 、

前一段时候，三星第两代3nm GAA工艺将会正在2024年量产。下通对三星第一代3nm GAA工艺兴趣没有大年夜
，但事真上古晨3nm GAA工艺贫累客户 ，三星表示，别的，停止了采与下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管足艺的3nm代工产品收货典礼。据Wccftech报导，功耗降降50% ，没有过有报导称果为表示没有达预期，机能进步23% 、正在新一代旗舰SoC上已转投台积电（TSMC）
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