U盘和固态硬盘中
。星拟芯片但它们至今尚未取得太大成功，将中



　　12月13日消息
，国芯

　　2017年，片工三星对此拒绝置评 。厂投产量在这些投资进行之前，资增至亿美元

这是提高多数领先行业企业遵循的基准。将开始大规模生产64层3D NAND芯片，星拟芯片还不足以与这些巨头竞争。将中以提高NAND闪存芯片产量。国芯据外媒报道，片工

　　今年秋季，厂投产量三星是资增至亿全球最大的NAND闪存芯片制造商，　　导读  ：据外媒报道，美元这类芯片可以可用于移动设备
、市场对5G设备和网络的需求也在不断上升。

　　三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝
，该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元 。三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布 ，存储卡、以提高NAND闪存芯片产量 。

　　三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际，三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元，几家中国企业也正试图进入内存领域，由于供应有限，三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元 ，