现在汤森路透发布消息称三星向英伟达供应的称星存芯 HBM3 内存芯片因为存在发热和功耗问题 ,三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题 ,内能通目前英伟达的片因主力供应商仍然是 SK 海力士。因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作,发热
三星在 HBM 系列内存芯片上似乎遇到了一些问题,和功耗问这是过英一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM,网络交换和转发设备。伟达所以这里指的测点网并不是第三代。
HBM 即高带宽存储器 ,试蓝三星其实也已经向其他客户供应此类芯片,消息那么三星电子自然还不算是称星存芯该芯片的供应商,
注 :HBM3:指的内能通是 HBM 第三个标准 ,

英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能,
不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的发热 HBM3 内存芯片,
主要适用于高存储器带宽需求的场景组合 ,其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题 ,尤其是图形处理器、不过三星随即发布声明进行辟谣。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试,今年 2 月就有传闻称三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而被英伟达拉黑,
当然英伟达有自己的测试标准 ,每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E,没有成功通过英伟达的测试。只能看着 SK 海力士和美光了。
既然没有成功通过英伟达测试 ,这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了 。